RP1E100XNTR

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Peça do fabricante

RP1E100XNTR

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
RP1E100XNTR PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):30 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:10A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:13mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 5 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:800 pF @ 10 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):2W (Ta)
  • Temperatura de operação:150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:MPT6
  • pacote / caso:6-SMD, Flat Leads
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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